深圳市泓京科技有限公司
步進電機技術
AGC
公司介紹
深圳市泓京科技有限公司，專業電子元器件代理商，產品范圍：碳化硅（Sic)MOSFET/二極管，MOSFET場效應，CAN/CAN-FD/LIN芯片，固態電容系列，固態光電繼電器。
我們業務范圍：新能源汽車，光伏逆變，儲能產品，充電樁，工控板，儀器儀表，通信設備，醫療設備以及PD快充等等，我們多年來于原廠技術密切合作，可為客戶解決技術難題，提供有效的解決方案，包括產品前端設計選料減低客戶的生產成本！
產品展示
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名稱
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型號
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封裝
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參數
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年份
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庫存
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操作
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UPH1C152M1012
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10*12
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16V 1500UF
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UPH1C331M0808
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8*8
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16V 330UF
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UPH1C471M0812
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8*12
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16V 470UF
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UPH1C471M1012
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10*12
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16V 470UF
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UPH1C561M0812
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8*12
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16V 560UF
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UPH1C821M0812
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8*12
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16V 820UF
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UPL1C252M1021
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10*21
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16V 2500UF
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UPL1C271M0608
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6*8
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16V 470UF
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The ME4953 is the Dual P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology. This high density process is especially tailored ...
E4435/ME4435-G，P溝道30V (D-S) MOSFET一般說明ME4435是P溝道邏輯增強型功率場，效應晶體管采用高單元密度、DMOS溝槽技術生產。這種高密度工藝特別適用于最小化導通電阻。這些器件特別適用于低電壓應用，如手機和筆記本電腦、計算機電源管理和其他電池供電電路，這些應用需要在非常小的外形表面貼裝封裝中實現高側開關和低在線功率損耗。應用● 筆記本電源管理● 便攜設備● ...
The ME85P03 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to ...
The ME20P06 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to mi...
ME50P06 / ME50P06-G，P溝道mos管 60V（D-S）MOSFETME50P06-G介紹：ME50P06是使用高單元密度DMOS溝槽技術生產的P通道邏輯增強模式功率場效應晶體管。 這種高密度工藝經過特別設計，可最大程度地降低導通電阻。 這些器件特別適合于低電壓應用，例如蜂窩電話和筆記本計算機電源管理以及其他電池供電的電路，并且在非常小的外形表面安裝封裝中需要低的在線功率損耗...
型號：ME15N10-G類型：N溝道場效應管耗散功率（PD）：34.7 W漏極電流（ID）：【管殼溫度（Tc）＝25 ℃】14.7 A漏極和源極電壓（VDSS）：100 V漏極和源極通態電阻（RDS(on)）：0.1 Ω封裝：TO-252ME15N10一般說明ME15N10是采用高單元密度DMOS溝槽技術的N通道邏輯增強模式功率場效應晶體管。 高密度工藝經過特別設計，可最大程度地降低導通電阻...
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